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          日期:2020-08-17 08:39
          浏览次数:1182
          摘要:
               IGBT???/a>,绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和 MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
               GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。
              IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
              例一个N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构, N+区称为源区,附于其上的电极称为源极。
              N+区称为漏区。器件的控制区为栅区,附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P 型区(包括P+ 和P 一区)(沟道在该区域形成),称为亚沟道区( Subchannel region )。
              而在漏区另一侧的P+ 区称为漏注入区( Drain injector ),它是IGBT特有的功能区,与漏区和亚沟道区一起形成PNP双极晶体管,起发射极的作用,向漏极注入空穴,进行导电调制,以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。 IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道,给PNP晶体管提供基极电流,使IGBT导通。
          反之,加反向门极电压消除沟道,切断基极电流,使IGBT 关断。
              IGBT的驱动方法和MOSFET基本相同,只需控制输入极N一沟道MOSFET,所以具有高输入阻抗特性。

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